上海千实工程师解读数字万用表和指针万用表测量半导体的方法是不同的

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　　数字万用表的使用已很普及了，但在常见的电工技术方面的书中，半导体的测量方法多是使用指针万用表，很少介绍使用数字万用表的。数字万用表和指针万用表测量半导体的方法是不同的。
　　一、二极管
　　数字万用表二极管档开路电压约为2.8V，红表笔接正，黑表笔接负，测量时提供电流约为1mA，显示值为二极管正向压降近似值，单位是mV或V。硅二极管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二极管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二极管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V，说明二极管击穿，此时正反向都导通。如果正反向均开路说明二极管PN节开路。对于发光二极管，正向测量时二极管发光，管压降约1.7V左右。
　　二、三极管
　　三极管有两个PN节，发射节(be)和集电节(bc)，按测量二极管的方法测量即可。在实际测量时，每两个管脚间都要测正反向压降，共要测6次，其中有4次显示开路，只有两次显示压降值，否则三极管是坏的或是特殊三极管(如带阻三极管、达林顿三极管等，可通过型号与普通三极管区分开来)。在两次有数值的测量中，如果黑表笔或红表笔接同一极，则该极是基极，测量值较小的是集电节，较大的是发射节，因为已判断出基极，对应可以判断出集电极和发射极。同时可以判断：如果黑表笔接同一极，则三极管是PNP型，如果红表笔接同一极，则三极管是NPN型;压降为0.6V左右的是硅管，压降为0.2V左右的是锗管。
　　三、可控硅
　　可控硅阳极与阴极及控制极是开路的，据此可以确定阳极管脚和判断可控硅是否击穿。可控硅控制极和阴极间也是PN节，但是大功率可控硅控制极和阴极间有一个保护电阻，测量时显示值为电阻上的压降。
　　四、光耦
　　光耦的一侧是发光二极管，测量时压降约1V左右，另外一侧是三极管，有的只引出c、e，测量正反向均截止，如果三个脚都引出，测量特性同上面三极管(多为NPN管)。当用一个万用表使二极管正向导通，此时用另外一块万用表测三极管c对e导通压降约为0.15V;断开接二极管的万用表，三极管c对e截止，说明该光耦是好的。